英伟达密谋3nmHBM底层革命，2027年试产撼动存储巨头王座

   深夜的硅谷实验室里，工程师反复调试着比发丝还细万倍的电路。这并非普通芯片，而是英伟达代号"NovaCore"的核心项目——3nm工艺的HBM基础裸片。行业消息确认，英伟达计划在2027年下半年启动自研HBMBaseDie试产，剑指存储产业最核心的技术壁垒。

   随着AI芯片性能狂奔，内存带宽逐渐成为最大瓶颈。在H100加速卡中，HBM成本占比已突破60%，成为英伟达难以承受之重。更关键的是，当下一代HBM4将传输速率推至10Gbps以上时，传统DRAM制程已力不从心，必须转向逻辑芯片工艺。正是这个技术拐点，给了英伟达切入战局的绝佳机会。

   台积电的3nm生产线将承担制造重任。与当前存储巨头采用的方案相比，新设计可使晶体管密度跃升40%，硅通孔节距缩至1.5微米级别，互连密度达到现有方案的2.3倍。集成自研NVLink5.0控制器后，单芯片带宽飙升至1.8TB/s，功耗却降低三成。若与4nmHBM3E异构集成，显卡显存带宽有望突破12TB/s，较当前旗舰产品提升150%。

   供应链人士透露，英伟达的野心不仅在于技术突破。当SK海力士、三星和美光垄断全球92.9%的HBM市场时，自研基础裸片能显著增强议价能力。更深远的是，此举为NVLinkFusion开放生态埋下伏笔——未来第三方ASIC厂商可采用英伟达的模块化方案，从而强化其在AI生态中的掌控力。

   存储巨头不会坐以待毙。就在上周，某韩系厂商向客户交付了12层堆叠的HBM4样品，采用先进封装技术实现36GB容量和2TB/s带宽，较前代提升60%。但技术代差正在显现：传统存储厂在复杂逻辑芯片设计上积累有限，当HBM4需要整合UCIe接口实现与CPU/GPU高速通讯时，设计难度呈指数级上升。

   这场博弈背后是价值50亿美元的战场。2025年HBM市场规模预计接近50亿美元，年增速高达148%。随着2027年试产线启动，AI芯片巨头的算力优势可能再次拉开。不过云端客户的态度将成为关键变量，这些为摆脱英伟达绑定而投入ASIC研发的巨头，未必乐于接受新的技术依赖。

   晶圆厂正成为隐形赢家。当英伟达的3nm裸片与存储巨头的堆叠DRAM在先进封装中融合，台积电CoWoS生产线已接到加急订单。3D封装成本在高端AI芯片中占比升至40%，倒逼封装产能急速扩张。行业观察者发现，这场存储底层革命将重塑产业链价值分配——谁能控制基础裸片，谁就扼住了AI算力的新咽喉。